12月12日，在由第三代半導體產業知名媒體與產業研究機構“行家說三代半”主辦的2024行家極光獎頒獎典禮上，上海新微半導體有限公司（以下簡稱“新微半導體”）以其特色的高壓（650V）硅基氮化鎵功率工藝平臺解決方案，榮獲“第三代半導體年度優秀產品獎”，成為化合物半導體領域晶圓代工的佼佼者。
近年來，氮化鎵作為寬禁帶半導體材料的代表，其產業發展勢頭迅猛。技術的不斷進步和規模效應的顯現，使得氮化鎵相較于硅的性能優勢愈發顯著。在成本效益方面，氮化鎵解決方案的成本也開始展現出對硅的競爭優勢，預示著氮化鎵時代的到來。
新微半導體的高壓（650V）硅基氮化鎵功率工藝平臺，依托于氮化鎵這一寬禁帶半導體新材料，并結合公司特色的非金工藝技術，展現出高擊穿電壓、寬工作溫度范圍和高工作頻率等卓越性能。該平臺為客戶提供了卓越的代工解決方案，其產品可廣泛應用于消費電子快充、新能源汽車、數據中心和儲能等多個市場領域，市場潛力巨大。
新微半導體依托強大的研發團隊和先進的生產設施，持續推動氮化鎵工藝的創新和代工服務品質的提升，為行業的高質量發展注入了新活力。展望未來，新微半導體將進一步加強與產業鏈上下游合作伙伴的溝通與合作，匯聚產業智慧，共同應對關鍵挑戰，不斷拓展第三代半導體技術的應用領域。
