2023年10月17日，上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”或“公司”）總經理王慶宇博士應邀參加2023中國半導體材料產業發展（德州）峰會，并在會上作了《氮化鎵材料在功率和射頻器件的應用》的主題演講。 
氮化鎵材料具有高擊穿場強、低導通電阻、耐高壓和高溫穩定性等優越性能，其功率密度是硅或其他材料無法比擬的，特別是在高功率和高頻率領域應用效果尤其出色。因此，氮化鎵材料可同時涵蓋射頻和功率領域，可廣泛應用于計算機、消費電子和汽車電子等終端應用領域，讓人們的生活更美好，同時也促進了產業不斷向前發展。
功率氮化鎵器件具有高擊穿場強和高遷移率的特性，相同耐壓等級下擁有更低的導通電阻。新微半導體擁有包含從外延生長到氮化鎵功率器件代工的工藝平臺，可以提供基于硅基氮化鎵襯底的功率工藝解決方案。公司具備6吋非金工藝的晶圓代工能力，為客戶提供高性能和低成本的40V~650V氮化鎵功率器件代工服務，產品廣泛應用于工業電源、汽車電子和光伏逆變器等領域。
盡管與硅和砷化鎵等其他半導體材料相比，氮化鎵是相對較新的材料，但是對于遠距離信號傳送或高端功率級別等高射頻和高功率應用，氮化鎵憑借出色的抗擊穿能力、更高的電子密度、電子飽和速度以及更高的工作溫度，已經成為優先選擇。
上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”），成立于2020年1月，位于上海自由貿易實驗區臨港新片區。作為先進的化合物半導體晶圓代工企業，專注于為射頻、光電和功率三大應用領域的客戶提供多元化的晶圓代工及配套服務，最終產品可廣泛應用于通訊、新能源、消費電子、汽車、工業和生物醫療等終端應用領域。
作為客戶可信賴的合作伙伴，新微半導體不僅擁有完備的工藝制程和全套的解決方案，還為客戶提供設計支持、MPW晶圓服務、光罩服務、測試與分析服務等眾多增值服務。同時，依托自有的晶圓級、芯片級測試能力，用一站式服務滿足不同客戶的需求，以縮短客制產品進入市場的時間，為客戶創造更高的商業價值。
